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脈沖發(fā)生器在半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用
上傳時間:2022-03-31 22:10
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資料介紹

內(nèi)存研究的趨勢是開發(fā)一種新的存儲器,稱為非易失性RAM,它結(jié)合了RAM的快速讀取與大容量存儲器的海量內(nèi)存的特點。

有很多新儲存單元方案,例如,F(xiàn)eRAM(鐵電儲存器),ReRAM(電阻儲存器),MRAM(磁阻儲存器),STT-MRAM (自旋轉(zhuǎn)矩磁阻儲存器),PCM(相變存儲器)。

這些類型的儲存器是以使用不同的物理原理改變材料傳導(dǎo)性為基礎(chǔ)。例如,在電介質(zhì)材料層中一根細(xì)線的形成或破壞,材料結(jié)構(gòu)由非晶轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Щ蚺c磁場一直。

在本應(yīng)用案例中,我們介紹如何使用脈沖發(fā)生器測試STT-MRAM儲存單元。

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