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GGB探頭18C&19C
18C&19C
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PICOPROBE? MODEL 18C 和 MODEL 19C 高阻抗探頭將最先進(jìn)的 MOS 和雙極技術(shù)與特殊的低電容封裝技術(shù)相結(jié)合,實現(xiàn)了真正卓越的電子測量功能。
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GGB Industries Inc
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        PICOPROBE? MODEL 18C 和 MODEL 19C 高阻抗探頭將最先進(jìn)的 MOS 和雙極技術(shù)與特殊的低電容封裝技術(shù)相結(jié)合,實現(xiàn)了真正卓越的電子測量功能。在制造過程中,每臺儀器都經(jīng)過單獨(dú)優(yōu)化,以獲得最佳性能。極低的輸入電容、高輸入阻抗以及幾乎可以忽略不計的輸入漏電流允許直接探測最敏感的MOS動態(tài)節(jié)點(diǎn)。同時,該 Picoprobe 的全直流能力與高速能力相結(jié)合,可以對電路進(jìn)行全面表征。

        10微米的鎢絲可以探測到最細(xì)的線,細(xì)探針線在與電路接觸時會彎曲,從而最大限度地減少對電路和探針點(diǎn)的損壞。此外,即使在探頭工作臺振動的情況下,彎曲也會保持探頭點(diǎn)與電路的接觸。18C 型和 19C 型探頭尖端還提供 20 微米和 50 微米的鎢絲,分別銳化到 1 微米和 3 微米以下。

        位于 18C 型和 19C 型 Picoprobe? 主體中的電路非常堅固,但每個探頭尖端中未受保護(hù)的MOS輸入會受到靜電放電的破壞。如果探頭尖端損壞,可以很容易地將其拆卸和更換。



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